￥ 11.884

IXTQ100N25P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ100N25P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 100 A, 250 V, 27 mohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXTQ100N25P 数据手册 (5 页)

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1 功能描述

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IXTQ100N25P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.027 Ω

极性

N-Channel

功耗

600 W

阈值电压

5 V

输入电容

6300 pF

漏源极电压(Vds)

250 V

连续漏极电流(Ids)

100 A

上升时间

26 ns

输入电容值(Ciss)

6300pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

600 W

下降时间

28 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

600W (Tc)

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IXTQ100N25P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTQ100N25P 符合标准

IXTQ100N25P 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.26 MByte

IXTQ100N25P 开发手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 1.89 MByte

IXTQ100N25 数据手册

IXTQ100N25P 数据手册

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IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ100N25P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 100 A, 250 V, 27 mohm, 10 V, 5 V

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