IXTQ200N10T

￥ 0.572

IXTQ200N10T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

N沟道 100V 200A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTQ200N10T 数据手册 (5 页)

IXTQ200N10T 数据手册 (5 页)

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IXTQ200N10T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-3-3

极性

N-CH

功耗

550W (Tc)

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

200A

输入电容值(Ciss)

9400pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

550W (Tc)

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IXTQ200N10T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IXTQ200N10T 符合标准

IXTQ200N10T 概述

IXTQ200N10T 数据手册

IXTQ200N10T 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.17 MByte

IXTQ200N10T 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.16 MByte

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N沟道 100V 200A

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