IXTQ22N60P

￥ 1.401

IXTQ22N60P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

N沟道 600V 22A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTQ22N60P 数据手册 (5 页)

IXTQ22N60P 数据手册 (5 页)

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IXTQ22N60P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

22.0 A

封装

TO-3-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

350 mΩ

功耗

400 W

输入电容

3.60 nF

栅电荷

62.0 nC

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

22.0 A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

3600pF @25V(Vds)

下降时间

23 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

400W (Tc)

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IXTQ22N60P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.8 mm

宽度

4.9 mm

高度

20.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTQ22N60P 符合标准

IXTQ22N60P 概述

IXTQ22N60P 数据手册

IXTQ22N60P 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.3 MByte

IXTQ22N60P 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.3 MByte

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N沟道 600V 22A

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