IXTQ460P2

￥ 2.732

IXTQ460P2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

N沟道

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTQ460P2 数据手册 (6 页)

IXTQ460P2 数据手册 (6 页)

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IXTQ460P2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

额定功率

480 W

通道数

1 Channel

漏源极电阻

270 mΩ

功耗

480 W

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

2890pF @25V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

480W (Tc)

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IXTQ460P2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTQ460P2 符合标准

IXTQ460P2 数据手册

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IXYS Semiconductor

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