IXTQ82N25P

￥ 0.733

IXTQ82N25P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

250V 82A PolarHT N沟道功率 Mosfet TO-3P

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTQ82N25P 数据手册 (5 页)

IXTQ82N25P 数据手册 (5 页)

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IXTQ82N25P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-3-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

35 mΩ

极性

N-CH

功耗

500 W

漏源极电压(Vds)

250 V

漏源击穿电压

250 V

连续漏极电流(Ids)

82A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

4800pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

500 W

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

500W (Tc)

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IXTQ82N25P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.8 mm

宽度

4.9 mm

高度

20.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTQ82N25P 符合标准

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IXYS Semiconductor

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5 页 / 0.28 MByte

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250V 82A PolarHT N沟道功率 Mosfet TO-3P

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