￥ 3.322

IXTQ88N30P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ88N30P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 88 A, 300 V, 40 mohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXTQ88N30P 数据手册 (5 页)

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IXTQ88N30P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.04 Ω

极性

N-Channel

功耗

600 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

300 V

连续漏极电流(Ids)

88.0 A

上升时间

24 ns

反向恢复时间

250 ns

输入电容值(Ciss)

6300pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

600 W

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

600W (Tc)

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IXTQ88N30P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTQ88N30P 符合标准

IXTQ88N30P 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.31 MByte

IXTQ88N30P 开发手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 1.89 MByte

IXTQ88N30 数据手册

IXTQ88N30P 数据手册

IXYS Semiconductor

IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ88N30P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 88 A, 300 V, 40 mohm, 10 V, 5 V

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