IXTQ96N20P

￥ 1.509

IXTQ96N20P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

N沟道 200V 96A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTQ96N20P 数据手册 (5 页)

IXTQ96N20P 数据手册 (5 页)

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IXTQ96N20P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

功耗

600 W

漏源极电压(Vds)

200 V

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

4800pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

600 W

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

600W (Tc)

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IXTQ96N20P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

IXTQ96N20P 符合标准

IXTQ96N20P 数据手册

IXTQ96N20P 数据手册

IXYS Semiconductor

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