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IXTT10P60
1.77
IXTT10P60 数据手册 (4 页)
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IXTT10P60 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-268-3
极性
P-CH
功耗
300W (Tc)
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
10A
上升时间
27 ns
输入电容值(Ciss)
4700pF @25V(Vds)
下降时间
35 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

IXTT10P60 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXTT10P60 数据手册

IXYS Semiconductor
4 页 / 0.15 MByte
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.12 MByte

IXTT10 数据手册

IXYS Semiconductor
IXTT 系列 单通道 N 沟道 250 V 27 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-268
IXYS Semiconductor
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