IXTT16N20D2

￥ 10.39

IXTT16N20D2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-268-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTT16N20D2 数据手册 (5 页)

IXTT16N20D2 数据手册 (5 页)

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IXTT16N20D2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-268-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

73 mΩ

极性

N-CH

功耗

695 W

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

连续漏极电流(Ids)

16A

上升时间

130 ns

输入电容值(Ciss)

5500pF @25V(Vds)

下降时间

135 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

695W (Tc)

查看数据手册 >

IXTT16N20D2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IXTT16N20D2 符合标准

IXTT16N20D2 概述

IXTT16N20D2 数据手册

IXTT16N20D2 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.16 MByte

IXTT16N20D2 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.16 MByte

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