IXXN200N60C3H1

￥ 367.575

IXXN200N60C3H1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXXN200N60C3H1 五件套

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IXXN200N60C3H1 数据手册 (7 页)

2 技术参数、封装参数

3

4

5

6

或点击图片查看大图

IXXN200N60C3H1 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SOT-227-4

功耗

780000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

输入电容值(Cies)

9.9nF @25V

额定功率(Max)

780 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

780000 mW

IXXN200N60C3H1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXXN200N60C3H1 符合标准

IXXN200N60C3H1 海关信息

IXXN200N60C3H1 概述

IXXN200N60C3H1 数据手册

IXXN200N60C3H1 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

7 页 / 0.19 MByte

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