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IXYH40N120B3D1
7.584
IXYH40N120B3D1 数据手册 (7 页)
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IXYH40N120B3D1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
功耗
480000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
反向恢复时间
100 ns
额定功率(Max)
480 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
480000 mW

IXYH40N120B3D1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXYH40N120B3D1 数据手册

IXYS Semiconductor
7 页 / 0.18 MByte
IXYS Semiconductor
7 页 / 0.17 MByte

IXYH40N120B3 数据手册

IXYS Semiconductor
IGBT 晶体管 DISC IGBT XPT-GENX3
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IGBT 1200V 86A 480W 通孔 TO-247(IXYH)
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