￥ 22.399

IXZ308N120 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

晶体管

封装:

DE-375

描述:

IXYS RF IXZ308N120 晶体管, 射频FET, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXZ308N120 数据手册 (3 页)

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IXZ308N120 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

65 MHz

引脚数

6 Pin

封装

DE-375

针脚数

6 Position

极性

N-Channel

功耗

880 W

漏源极电压(Vds)

1.2 kV

连续漏极电流(Ids)

8.00 A

上升时间

5.00 ns

输出功率

880 W

增益

23 dB

输入电容值(Ciss)

1960pF @960V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3000 mW

额定电压

1200 V

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IXZ308N120 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

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IXZ308N120 概述

IXZ308N120 数据手册

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3 页 / 0.13 MByte

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