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J112G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

JFET晶体管

封装:

TO-226-3

描述:

JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

J112G 数据手册 (5 页)

封装尺寸在5 页

J112G 数据手册 (5 页)

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J112G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

35.0 V

额定电流

50.0 mA

封装

TO-226-3

击穿电压

-35.0 V

漏源极电阻

50 Ω

极性

N-Channel

功耗

350 mW

漏源极电压(Vds)

35.0 V

栅源击穿电压

35.0 V

击穿电压

35 V

额定功率(Max)

350 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

350 mW

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J112G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

J112G 符合标准

J112G 海关信息

J112G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.08 MByte

J112G 用户编程技术手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.38 MByte

J112G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.19 MByte

J112G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.05 MByte

J112G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

55 页 / 17.24 MByte

J112 数据手册

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J112 晶体管, JFET, JFET, -35 V, 5 mA, 5 V, TO-92, JFET

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JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion

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