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JAN1N4118D
器件3D模型
0
JAN1N4118D 数据手册 (2 页)
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JAN1N4118D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
DO-35
功耗
500 mW
稳压值
27 V

JAN1N4118D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

JAN1N4118D 数据手册

Microsemi(美高森美)
2 页 / 0.1 MByte

JAN1N4118 数据手册

Microsemi(美高森美)
硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES
Microsemi(美高森美)
硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES
Microsemi(美高森美)
硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES
Microsemi(美高森美)
玻璃表面贴装0.5瓦齐纳二极管 GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS
Microsemi(美高森美)
硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES
Microsemi(美高森美)
硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES
Microsemi(美高森美)
玻璃表面贴装0.5瓦齐纳二极管 GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
玻璃表面贴装0.5瓦齐纳二极管 GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS
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