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Datasheet 搜索 > 齐纳二极管 > Microsemi(美高森美) > JAN1N751C-1 Datasheet 文档
JAN1N751C-1
器件3D模型
5.328
JAN1N751C-1 数据手册 (2 页)
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JAN1N751C-1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
容差
±2 %
封装
DO-35
正向电压
1.1V @200mA
稳压值
5.1 V
额定功率(Max)
500 mW

JAN1N751C-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-65℃ ~ 175℃

JAN1N751C-1 数据手册

Microsemi(美高森美)
2 页 / 0.03 MByte
Microsemi(美高森美)
6 页 / 0.64 MByte
Microsemi(美高森美)
10 页 / 0.12 MByte

JAN1N751 数据手册

Microsemi(美高森美)
SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES
Microsemi(美高森美)
SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES
Microsemi(美高森美)
SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES
Microchip(微芯)
Microsemi(美高森美)
SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES
Microsemi(美高森美)
SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES
Microsemi(美高森美)
SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES
Microsemi(美高森美)
SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES
Microsemi(美高森美)
硅500 mW的稳压二极管 Silicon 500 mW Zener Diodes
Microsemi(美高森美)
SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES
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