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JANTX2N3637
16.13
JANTX2N3637 数据手册 (5 页)
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JANTX2N3637 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-39-3
功耗
1 W
击穿电压(集电极-发射极)
175 V
最小电流放大倍数
100 @50mA, 10V
额定功率(Max)
1 W
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW

JANTX2N3637 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bag
材质
Silicon
工作温度
-65℃ ~ 200℃ (TJ)

JANTX2N3637 数据手册

Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.16 MByte
Microsemi(美高森美)
6 页 / 0.07 MByte

JANTX2 数据手册

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NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR
Microsemi(美高森美)
PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
Microsemi(美高森美)
低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
Microsemi(美高森美)
每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
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