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JANTXV2N5416U4
517.49
JANTXV2N5416U4 数据手册 (1 页)
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JANTXV2N5416U4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SMD-3
极性
PNP
功耗
1 W
击穿电压(集电极-发射极)
300 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
30 @50mA, 10V
额定功率(Max)
1 W
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW

JANTXV2N5416U4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
材质
Silicon
工作温度
-65℃ ~ 200℃ (TJ)

JANTXV2N5416U4 数据手册

Microsemi(美高森美)
1 页 / 0.42 MByte
Microsemi(美高森美)
7 页 / 0.3 MByte

JANTXV2N5416 数据手册

Microsemi(美高森美)
PNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR
Microchip(微芯)
Microsemi(美高森美)
PNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Microchip(微芯)
Microchip(微芯)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
Microchip(微芯)
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