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KSA1013YBU
0.116
KSA1013YBU 数据手册 (7 页)
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KSA1013YBU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
50 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-160 V
额定电流
-1.00 A
封装
TO-226-3
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
900 mW
增益频宽积
50 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
160 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
60 @200mA, 5V
最大电流放大倍数
320
额定功率(Max)
900 mW
直流电流增益(hFE)
160
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
900 mW

KSA1013YBU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
8 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSA1013YBU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.31 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.36 MByte

KSA1013 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSA1013YTA , PNP 晶体管, 1 A, Vce=160 V, HFE:60, 1 MHz, 3引脚 TO-92封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSA1013YBU  单晶体管 双极, PNP, -160 V, 50 MHz, 900 mW, -1 A, 160 hFE
ON Semiconductor(安森美)
KSA1013YBU 袋装
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSA1013OTA , PNP 晶体管, 1 A, Vce=160 V, HFE:60, 1 MHz, 3引脚 TO-92封装
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
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