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KSC2690YSTU
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KSC2690YSTU 数据手册 (5 页)
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KSC2690YSTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
120 V
额定电流
1.20 A
封装
TO-126-3
极性
NPN
功耗
1.2 W
增益频宽积
155 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
120 V
集电极最大允许电流
1.2A
最小电流放大倍数
60
最大电流放大倍数
320
额定功率(Max)
1.2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

KSC2690YSTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
8 mm
宽度
3.25 mm
高度
11 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSC2690YSTU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.04 MByte

KSC2690 数据手册

CJ(长电科技)
三极管(晶体管) KSC2690 C2690 TO-126 160-320
Fairchild(飞兆/仙童)
音频频率高频功率放大器 Audio Frequency High Frequency Power Amplifier
Samsung(三星)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC2690AYS  单晶体管 双极, NPN, 160 V, 155 MHz, 20 W, 1.2 A, 160 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC2690AYSTU  单晶体管 双极, NPN, 160 V, 155 MHz, 20 W, 1.2 A, 160 hFE
ON Semiconductor(安森美)
功率 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSC2690AYS , NPN 晶体管, 1.2 A, Vce=160 V, HFE:60, 3引脚 TO-126封装
Fairchild(飞兆/仙童)
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) KSC2690A C2690A TO-126 160-320
Fairchild(飞兆/仙童)
音频频率高频功率放大器 Audio Frequency High Frequency Power Amplifier
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