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KSC5502DTTU
0.427
KSC5502DTTU 数据手册 (11 页)
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KSC5502DTTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
11 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
极性
NPN
功耗
50 W
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
集电极最大允许电流
2A
最小电流放大倍数
4 @1A, 1V
额定功率(Max)
50 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
50000 mW

KSC5502DTTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
高度
9.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSC5502DTTU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.3 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
13 页 / 0.42 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

KSC5502 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
NPN平面硅晶体管 NPN Planar Silicon Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC5502DTM  晶体管, 高电压, NPN, 600V, DPAK
ON Semiconductor(安森美)
高电压 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN平面硅晶体管 NPN Planar Silicon Transistor
ON Semiconductor(安森美)
KSC5502: NPN 平面硅晶体管
Fairchild(飞兆/仙童)
高压电源开关切换应用程序 High Voltage Power Switch Switching Application
ON Semiconductor(安森美)
NPN(集电极发射极结二极管) 600V 2A
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
高压电源开关切换应用程序 High Voltage Power Switch Switching Application
ON Semiconductor(安森美)
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