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KSD1616AGTA
0.112
KSD1616AGTA 数据手册 (7 页)
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KSD1616AGTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
160 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
1.00 A
封装
TO-226-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
750 mW
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
200 @100mA, 2V
最大电流放大倍数
600
额定功率(Max)
750 mW
直流电流增益(hFE)
200
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
0.75 W

KSD1616AGTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Box
长度
4.7 mm
宽度
3.93 mm
高度
5.33 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSD1616AGTA 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.19 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.31 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.01 MByte

KSD1616 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
音频功放和中速切换 Audio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching
Samsung(三星)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSD1616AGTA  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 160 MHz, 750 mW, 1 A, 200 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSD1616AGTA , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:81, 160 MHz, 3引脚 TO-92封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSD1616AGBU  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 160 MHz, 750 mW, 1 A, 200 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSD1616AYTA , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:135, 1 MHz, 3引脚 TO-92封装
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 160 MHz, 750 mW, 1 A, 200 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
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