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KSD2012Y
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KSD2012Y 数据手册 (4 页)
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KSD2012Y 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
3A

KSD2012Y 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.05 MByte

KSD2012 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
低频功率放大器 Low Frequency Power Amplifier
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSD2012GTU , NPN 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:20, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Fairchild(飞兆/仙童)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
Fairchild(飞兆/仙童)
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