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KSE350S
0.052
KSE350S 数据手册 (4 页)
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KSE350S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-300 V
额定电流
-500 mA
封装
TO-126-3
极性
PNP
功耗
20 W
击穿电压(集电极-发射极)
300 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
30 @50mA, 10V
最大电流放大倍数
240
额定功率(Max)
20 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

KSE350S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Bulk
长度
8 mm
宽度
3.25 mm
高度
11 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSE350S 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.03 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.15 MByte

KSE350 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
高电压通用应用 High Voltage General Purpose Applications
ON Semiconductor(安森美)
Samsung(三星)
Fairchild(飞兆/仙童)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
Fairchild(飞兆/仙童)
高电压通用应用 High Voltage General Purpose Applications
ON Semiconductor(安森美)
PNP 20 W 300 V 0.5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3
ON Semiconductor(安森美)
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