Web Analytics
Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Fairchild(飞兆/仙童) > KSH122ITU Datasheet 文档
KSH122ITU
0.226
KSH122ITU 数据手册 (7 页)
查看文档
或点击图片查看大图

KSH122ITU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
8.00 A
封装
TO-251-3
额定功率
1.75 W
极性
NPN
功耗
1.75 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
8A
最小电流放大倍数
1000 @4A, 4V
额定功率(Max)
1.75 W
直流电流增益(hFE)
1000
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1750 mW

KSH122ITU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
6.6 mm
宽度
2.3 mm
高度
6.1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSH122ITU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.16 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.37 MByte

KSH122 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSH122  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, 1000 hFE
ON Semiconductor(安森美)
Samsung(三星)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington Transistor
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSH122TF NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
D- PAK表面贴装应用 D-PAK for Surface Mount Applications
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z