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KSP43TA
0.047
KSP43TA 数据手册 (6 页)
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KSP43TA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
50 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
500 mA
封装
TO-226-3
极性
NPN
功耗
0.625 W
击穿电压(集电极-发射极)
200 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
40 @30mA, 10V
额定功率(Max)
625 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625 mW

KSP43TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Box
材质
Silicon
高度
5.33 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSP43TA 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.17 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.29 MByte

KSP43 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
高压晶体管 High Voltage Transistor
Samsung(三星)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
KSP43: NPN外延硅晶体管
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSP43BU , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=200 V, HFE:25, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装
Samsung(三星)
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