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KST2907AMTF
0.03
KST2907AMTF 数据手册 (7 页)
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KST2907AMTF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
200 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-600 mA
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
350 mW
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
100 @150mA, 10V
最大电流放大倍数
300
额定功率(Max)
350 mW
直流电流增益(hFE)
50
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
350 mW

KST2907AMTF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.93 mm

KST2907AMTF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.37 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.31 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.05 MByte

KST2907 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
通用晶体管 General Purpose Transistor
ON Semiconductor(安森美)
Samsung(三星)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KST2907AMTF  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 350 mW, -600 mA, 50 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KST2907AMTF , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
Samsung(三星)
KST2907A PNP三极管 -60V -600mA/- 0.6A 200MHz 100~300 -1.6V SOT-23/SC-59 marking/标记 2F
Fairchild(飞兆/仙童)
Samsung(三星)
KST2907ATF PNP三极管 -60V -600mA/- 0.6A 200MHz 100~300 -1.6V SOT-23/SC-59 marking/标记 2F
Fairchild(飞兆/仙童)
通用晶体管 General Purpose Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
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