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KST5401MTF_Q
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KST5401MTF_Q 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-23-3
极性
PNP
功耗
350 mW
击穿电压(集电极-发射极)
150 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
50
工作温度(Max)
150 ℃

KST5401MTF_Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
长度
2.92 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.93 mm

KST5401MTF_Q 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.16 MByte

KST5401 数据手册

Samsung(三星)
KST5401 PNP三极管 -160V -500mA/-0.5A 100~300MHz 60~240 -500mV/-0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 2L 高电压
Fairchild(飞兆/仙童)
高压晶体管 High Voltage Transistor
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KST5401MTF  单晶体管 双极, PNP, -150 V, 300 MHz, 350 mW, -500 mA, 50 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KST5401MTF , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=150 V, HFE:50, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
Freescale(飞思卡尔)
Samsung(三星)
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