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L6384E
器件3D模型
0.594
L6384E 数据手册 (18 页)
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L6384E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
0.4 MHz
引脚数
8 Pin
封装
DIP-8
上升/下降时间
50ns, 30ns
输出接口数
2 Output
输出电压
580 V
功耗
750 mW
上升时间
50 ns
输出电流(Max)
0.65 A
下降时间
30 ns
下降时间(Max)
30 ns
上升时间(Max)
50 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-45 ℃
耗散功率(Max)
750 mW
电源电压
8V ~ 16.6V
电源电压(Max)
16.6 V
电源电压(Min)
14.6 V

L6384E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.92 mm
宽度
6.6 mm
高度
3.32 mm
工作温度
-45℃ ~ 125℃

L6384E 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.32 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
68 页 / 3.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.23 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.7 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
7 页 / 0.06 MByte

L6384 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
HIGH- VOLTAGE半桥驱动器 HIGH-VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  L6384ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 半桥, 11.5V-16.6V电源, 650mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
ST Microelectronics(意法半导体)
L6384 系列 双通道 400 mA 125Ω 高压 半桥 驱动器 - SOIC-8
ST Microelectronics(意法半导体)
L6384 系列 双通道 400 mA 125Ω 高压 半桥 驱动器 - DIP-8
ST Microelectronics(意法半导体)
HIGH- VOLTAGE半桥驱动器 HIGH-VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER
ST Microelectronics(意法半导体)
门驱动器 Hi-Volt Half Bridge
ST Microelectronics(意法半导体)
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