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器件3D模型
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L6384E 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
FET驱动器
封装:
DIP-8
描述:
L6384 系列 双通道 400 mA 125Ω 高压 半桥 驱动器 - DIP-8
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
L6384E 数据手册 (18 页)
引脚图
在
6 页
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在
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L6384E 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
0.4 MHz
引脚数
8 Pin
封装
DIP-8
上升/下降时间
50ns, 30ns
输出接口数
2 Output
输出电压
580 V
功耗
750 mW
上升时间
50 ns
输出电流(Max)
0.65 A
下降时间
30 ns
下降时间(Max)
30 ns
上升时间(Max)
50 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-45 ℃
耗散功率(Max)
750 mW
电源电压
8V ~ 16.6V
电源电压(Max)
16.6 V
电源电压(Min)
14.6 V
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L6384E 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.92 mm
宽度
6.6 mm
高度
3.32 mm
工作温度
-45℃ ~ 125℃
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L6384E 符合标准
L6384E 海关信息
L6384E 概述
●
MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics
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开发手册
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产品描述及参数
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