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器件3D模型
￥ 1.102
L6385ED 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
FET驱动器
封装:
SOIC-8
描述:
STMICROELECTRONICS L6385ED 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, -0.3V至17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
Pictures:
3D模型
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引脚图
产品图
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L6385ED 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
400 kHz
引脚数
8 Pin
电源电压
-300 mV (min)
封装
SOIC-8
额定功率
750 mW
上升/下降时间
50ns, 30ns
输出接口数
2 Output
输出电压
580 V
输出电流
400 mA
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
功耗
750 mW
上升时间
50 ns
下降时间
30 ns
下降时间(Max)
30 ns
上升时间(Max)
50 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-45 ℃
耗散功率(Max)
750 mW
电源电压
17 V
电源电压(Max)
17 V
电源电压(Min)
0.3 V
查看数据手册 >
L6385ED 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.25 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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L6385ED 符合标准
L6385ED 海关信息
L6385ED 概述
●
MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics
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L6385ED
数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
17 页 / 0.3 MByte
L6385ED
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ST Microelectronics（意法半导体）
68 页 / 3.38 MByte
L6385ED
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ST Microelectronics（意法半导体）
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L6385ED
产品设计图
ST Microelectronics（意法半导体）
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L6385ED
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L6385ED
产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
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L6385ED
产品手册
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27 页 / 1.02 MByte
L6385 数据手册
L6385
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高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER
L6385
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ST Microelectronics（意法半导体）
L6385 系列 单 400 mA 125 Ω 高压 高压侧和低压侧 驱动器 - SOIC-8
L6385
ED
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS L6385ED 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, -0.3V至17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
L6385
E
数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS L6385E 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, -0.3V至17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, DIP-8
L6385
D
数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER
L6385
D013TR
数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
门驱动器 Hi-Volt Hi-Low Side
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