器件3D模型

￥ 1.123

L6385ED013TR 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-8

描述:

L6385 系列单 400 mA 125 Ω 高压高压侧和低压侧驱动器 - SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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L6385ED013TR 数据手册 (15 页)

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封装尺寸在12 页 13 页

原理图在3 页

L6385ED013TR 数据手册 (15 页)

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L6385ED013TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

400 kHz

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

750 mW

上升/下降时间

50ns, 30ns

输出接口数

2 Output

输出电压

580 V

输出电流

400 mA

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

功耗

0.75 W

上升时间

50 ns

输出电流(Max)

0.65 A

下降时间

30 ns

下降时间(Max)

30 ns

上升时间(Max)

50 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

750 mW

电源电压

17 V

电源电压(Max)

17 V

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L6385ED013TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 125℃

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L6385ED013TR 符合标准

L6385ED013TR 海关信息

L6385ED013TR 概述

L6385ED013TR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.19 MByte

L6385ED013TR 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

68 页 / 3.38 MByte

L6385ED013TR 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.28 MByte

L6385ED013TR 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

44 页 / 1.23 MByte

L6385ED013TR 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.11 MByte

L6385ED013 数据手册

L6385ED013TR 数据手册

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L6385 系列单 400 mA 125 Ω 高压高压侧和低压侧驱动器 - SOIC-8

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