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L6386E
1.1
L6386E 数据手册 (19 页)
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L6386E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
14 Pin
封装
PDIP-14
上升/下降时间
50ns, 30ns
输出接口数
2 Output
功耗
750 mW
上升时间
50 ns
输出电流(Max)
0.65 A
下降时间
30 ns
下降时间(Max)
30 ns
上升时间(Max)
50 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-45 ℃
耗散功率(Max)
750 mW
电源电压
17 V

L6386E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

L6386E 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
19 页 / 0.39 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
68 页 / 3.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
43 页 / 2.08 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.7 MByte

L6386 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  L6386ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.1V至17V电源, 650mA输出, 110ns延迟, SOIC-14
ST Microelectronics(意法半导体)
MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
L6386AD 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高压侧和低压侧 驱动器 - SOIC-14
ST Microelectronics(意法半导体)
MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
L6386 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - DIP-14
ST Microelectronics(意法半导体)
高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER
ST Microelectronics(意法半导体)
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