L6386ED

器件3D模型

￥ 1.165

L6386ED 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-14

描述:

STMICROELECTRONICS L6386ED 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.1V至17V电源, 650mA输出, 110ns延迟, SOIC-14

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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L6386ED 数据手册 (1 页)

L6386ED 数据手册 (1 页)

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L6386ED 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

400 kHz

引脚数

14 Pin

电源电压

9.10V (min)

封装

SOIC-14

额定功率

750 mW

上升/下降时间

50ns, 30ns

输出接口数

2 Output

输出电压

580 V

输出电流

400 mA

通道数

2 Channel

针脚数

14 Position

功耗

0.75 W

上升时间

50 ns

输出电流(Max)

0.65 A

下降时间

30 ns

下降时间(Max)

30 ns

上升时间(Max)

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-45 ℃

耗散功率(Max)

750 mW

电源电压

17 VDC

电源电压(Max)

17 V

电源电压(Min)

9.1 V

查看数据手册 >

L6386ED 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Each

长度

8.75 mm

宽度

4 mm

高度

1.65 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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L6386ED 符合标准

L6386ED 海关信息

L6386ED 概述

L6386ED 数据手册

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L6386ED 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

68 页 / 3.38 MByte

L6386ED 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

43 页 / 2.08 MByte

L6386ED 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.7 MByte

L6386ED 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

50 页 / 1.56 MByte

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