器件3D模型

￥ 2.533

L6387E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

DIP-8

描述:

MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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L6387E 数据手册 (17 页)

引脚图在5 页Hot

封装尺寸在12 页 13 页 14 页 15 页

原理图在3 页

L6387E 数据手册 (17 页)

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L6387E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

0.4 MHz

引脚数

8 Pin

封装

DIP-8

上升/下降时间

50ns, 30ns

输出接口数

2 Output

针脚数

8 Position

功耗

0.75 W

上升时间

50 ns

下降时间

30 ns

下降时间(Max)

30 ns

上升时间(Max)

50 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-45 ℃

耗散功率(Max)

750 mW

电源电压

17 V

电源电压(Max)

17 V

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L6387E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.92 mm

宽度

6.6 mm

高度

3.32 mm

工作温度

-45℃ ~ 125℃ (TJ)

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L6387E 符合标准

L6387E 海关信息

L6387E 概述

L6387E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.36 MByte

L6387E 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

68 页 / 3.38 MByte

L6387E 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.18 MByte

L6387E 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

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