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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > ST Microelectronics(意法半导体) > L6388E Datasheet 文档
L6388E
器件3D模型
0.9
L6388E 数据手册 (11 页)
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L6388E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
8 Pin
封装
DIP-8
上升/下降时间
70ns, 40ns
输出接口数
2 Output
针脚数
8 Position
功耗
750 mW
上升时间
100 ns
输出电流(Max)
0.65 A
下降时间
80 ns
下降时间(Max)
80 ns
上升时间(Max)
100 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-45 ℃
耗散功率(Max)
750 mW
电源电压(Max)
17 V

L6388E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.92 mm
宽度
6.6 mm
高度
3.32 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)

L6388E 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
11 页 / 0.58 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
68 页 / 3.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.18 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.7 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.31 MByte

L6388 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER
Ushio Opto Semiconductor
Intersil(英特矽尔)
Laser Components
Renesas Electronics(瑞萨电子)
ST Microelectronics(意法半导体)
L6388 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高压侧和低压侧 驱动器 - SOIC-8
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  L6388ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.6V-17V电源, 650mA输出, 160ns延迟, SOIC-8
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