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器件3D模型
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L6390N 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
封装:
DIP
Pictures:
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焊盘图
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L6390N 数据手册 (24 页)
引脚图
在
4 页
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封装尺寸
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在
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L6390N 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
16 Pin
封装
DIP
输出接口数
1 Output
功耗
800 mW
下降时间(Max)
70 ns
上升时间(Max)
120 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
800 mW
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L6390N 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
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L6390N 符合标准
L6390N 海关信息
L6390N 数据手册
L6390N
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
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L6390 数据手册
L6390
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
高电压高侧和低侧驱动器 High-voltage high and low side driver
L6390
D
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS L6390D 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 12.5V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-16
L6390
DTR
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
L6390 系列 20 V 290 mA 表面贴装 高压 高/低压侧 驱动器 - SOIC-16
L6390
D013TR
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
高电压高侧和低侧驱动器 High-voltage high and low side driver
L6390
_12
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
高电压高/低侧驱动器 High-voltage high/low-side driver
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