L6392D

器件3D模型

￥ 0.927

L6392D 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-14

描述:

STMICROELECTRONICS L6392D 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 12.5V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-14

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

L6392D 数据手册 (20 页)

引脚图在4 页Hot

封装尺寸在16 页 17 页

典型应用电路图在13 页

原理图在3 页

L6392D 数据手册 (20 页)

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L6392D 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

0.8 MHz

引脚数

14 Pin

电源电压

12.5V (min)

封装

SOIC-14

上升/下降时间

75ns, 35ns

输出接口数

2 Output

针脚数

14 Position

功耗

0.8 W

上升时间

120 ns

下降时间

70 ns

下降时间(Max)

70 ns

上升时间(Max)

120 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

800 mW

电源电压

12.5V ~ 20V

电源电压(Max)

20 V

电源电压(Min)

12.5 V

查看数据手册 >

L6392D 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Each

长度

8.75 mm

宽度

4 mm

高度

1.65 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃

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L6392D 符合标准

L6392D 海关信息

L6392D 概述

L6392D 数据手册

L6392D 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 0.56 MByte

L6392D 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

68 页 / 3.38 MByte

L6392D 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.16 MByte

L6392D 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 1.17 MByte

L6392D 产品描述及参数

ST Microelectronics（意法半导体）

7 页 / 0.06 MByte

L6392D 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

50 页 / 1.56 MByte

L6392 数据手册

L6392 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

高电压高侧和低侧驱动器 High-voltage high and low side driver

L6392D 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS L6392D 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 12.5V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-14

L6392DTR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:430mA

L6392N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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