器件3D模型

￥ 1.715

L6398DTR 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

SO-8

描述:

L6398 系列双 290 mA 20 V 高压侧和低压侧驱动器 - SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

L6398DTR 数据手册 (16 页)

引脚图在4 页Hot

封装尺寸在13 页 14 页

典型应用电路图在10 页

原理图在3 页

L6398DTR 数据手册 (16 页)

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L6398DTR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

0.8 MHz

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

上升/下降时间

75ns, 35ns

输出接口数

2 Output

功耗

0.8 W

上升时间

120 ns

下降时间

70 ns

下降时间(Max)

70 ns

上升时间(Max)

120 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

800 mW

电源电压

10V ~ 20V

电源电压(Max)

21 V

电源电压(Min)

0.3 V

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L6398DTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 125℃

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L6398DTR 符合标准

L6398DTR 海关信息

L6398DTR 概述

L6398DTR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.47 MByte

L6398DTR 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

68 页 / 3.38 MByte

L6398DTR 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

198 页 / 1.42 MByte

L6398 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

高电压高侧和低侧驱动器 High voltage high and low side driver

L6398D 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS L6398D 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-8

L6398DTR 数据手册

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L6398 系列双 290 mA 20 V 高压侧和低压侧驱动器 - SOIC-8

L6398N 数据手册

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