器件3D模型

￥ 0.673

L6571B 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

DIP-8

描述:

了振荡器高压半桥驱动器 HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER WITH OSCILLATOR

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

L6571B 数据手册 (12 页)

引脚图在4 页Hot

封装尺寸在8 页 9 页

原理图在1 页

L6571B 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

L6571B 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

8 Pin

电源电压

16.6V (max)

封装

DIP-8

输出接口数

2 Output

输出电流

275 mA

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

10V ~ 16.6V

电源电压(Max)

16.6 V

电源电压(Min)

10 V

查看数据手册 >

L6571B 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

高度

3.32 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

L6571B 符合标准

L6571B 概述

L6571B 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.22 MByte

L6571 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

L6571AD013TR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS L6571AD013TR 驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-16.6V电源, 高电压轨高达600V, SOIC-8

L6571BD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS L6571BD 双功率芯片, 半桥+振荡器+DDTIM, 10V-16.6V电源, 270mA输出, SOIC-8

L6571A 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS L6571A 双功率芯片, 半桥+振荡器+DDTIM, 半桥, 10V-16.6V电源, 270mA输出, DIP-8

L6571AD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

L6571 系列双通道 175 mA 半桥振荡器驱动器表面贴装 - SOIC-8

L6571BD013TR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

门驱动器 Hi-Volt Half Bridge

L6571B 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

了振荡器高压半桥驱动器 HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER WITH OSCILLATOR

L6571A_0009 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

了振荡器高压半桥驱动器 HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER WITH OSCILLATOR

L6571B 数据手册

API Technologies

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号