器件3D模型

￥ 0.348

LF253DT 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

放大器、缓冲器

封装:

SOIC-8

描述:

LF253 SOP8 宽带宽双通道 J-FET 运算放大器

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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LF253DT 数据手册 (15 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在10 页 11 页 12 页

典型应用电路图在9 页

原理图在2 页

LF253DT 数据手册 (15 页)

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LF253DT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

供电电流

1.4 mA

电路数

2 Circuit

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

功耗

0.68 W

共模抑制比

70 dB

带宽

4 MHz

转换速率

16.0 V/μs

增益频宽积

4 MHz

输入补偿电压

3 mV

输入偏置电流

20 pA

工作温度(Max)

105 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

增益带宽

4 MHz

耗散功率(Max)

680 mW

共模抑制比(Min)

70 dB

电源电压

6V ~ 36V

查看数据手册 >

LF253DT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

宽度

4 mm

工作温度

-40℃ ~ 105℃

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LF253DT 符合标准

LF253DT 海关信息

LF253DT 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.88 MByte

LF253DT 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 1.47 MByte

LF253DT 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

60 页 / 3.06 MByte

LF253DT 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 2.06 MByte

LF253DT 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.04 MByte

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