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LM211DR
器件3D模型
0.133
LM211DR 数据手册 (38 页)
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LM211DR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
3.50V (min)
工作电压
3.5V ~ 30V
封装
SOIC-8
输出电流
50 mA
供电电流
6 mA
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
输入补偿电压
3 mV
输入偏置电流
100 nA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
3.5V ~ 30V
电源电压(Max)
30 V
电源电压(Min)
3.5 V

LM211DR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

LM211DR 数据手册

TI(德州仪器)
38 页 / 2 MByte

LM211 数据手册

TI(德州仪器)
具有选通信号的差动比较器
ON Semiconductor(安森美)
单路比较器 Single Comparators
Philips(飞利浦)
ST Microelectronics(意法半导体)
电压比较器与闪光灯 Voltage comparator with strobe
Seoul Semiconductor(首尔半导体)
NXP(恩智浦)
电压比较器 Voltage comparator
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LM211DT.  单电压比较器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM211DR  模拟比较器, 单路, 差分, 1, 115 ns, 3.5V 至 30V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM211P  模拟比较器, 单路, 高速, 1, 115 ns, 3.5V 至 30V, DIP, 8 引脚
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