器件3D模型

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LM258DR 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

运算放大器

封装:

SOIC-8

描述:

TEXAS INSTRUMENTS LM258DR. 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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LM258DR 数据手册 (41 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在18 页 19 页 20 页 21 页 22 页 23 页 25 页 26 页 27 页 28 页 34 页

典型应用电路图在14 页 15 页

原理图在12 页 14 页 16 页

LM258DR 数据手册 (41 页)

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LM258DR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

工作电压

3V ~ 30V

封装

SOIC-8

输出电流

30mA @15V

供电电流

1 mA

电路数

2 Circuit

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

共模抑制比

70 dB

输入补偿漂移

7.00 µV/K

带宽

700 kHz

转换速率

300 mV/μs

增益频宽积

700 kHz

输入补偿电压

3 mV

输入偏置电流

20 nA

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-25 ℃

增益带宽

700 kHz

共模抑制比(Min)

70 dB

电源电压(Max)

32 V

电源电压(Min)

3 V

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LM258DR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.91 mm

高度

1.58 mm

工作温度

-25℃ ~ 85℃

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LM258DR 符合标准

LM258DR 概述

LM258DR 数据手册

TI（德州仪器）

41 页 / 1.88 MByte

LM258DR 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

32 页 / 0.51 MByte

LM258DR 产品修订记录

TI（德州仪器）

6 页 / 0.37 MByte

LM258DR 产品手册

TI（德州仪器）

14 页 / 0.13 MByte

LM258DR 其他参考文件

TI（德州仪器）

1 页 / 0.12 MByte

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TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS LM258DR. 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚

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TEXAS INSTRUMENTS LM258ADR 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚

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TEXAS INSTRUMENTS LM258ADGKR 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, MSOP, 8 引脚

LM258D 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS LM258D 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚

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