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器件3D模型
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LM258N 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
运算放大器
封装:
DIP-8
描述:
STMICROELECTRONICS LM258N 运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, DIP, 8 引脚
Pictures:
3D模型
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LM258N 数据手册 (22 页)
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LM258N 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
8 Pin
封装
DIP-8
供电电流
700 µA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
共模抑制比
70 dB
带宽
1.1 MHz
转换速率
600 mV/μs
增益频宽积
1.1 MHz
输入补偿电压
1 mV
输入偏置电流
20 nA
工作温度(Max)
105 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
增益带宽
1.1 MHz
共模抑制比(Min)
70 dB
电源电压
3V ~ 30V
查看数据手册 >
LM258N 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 105℃
查看数据手册 >
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LM258N 数据手册
LM258N
数据手册
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LM158,LM258,LM358,低功率双路运算放大器,具有低输入偏置电流LM158、LM258、LM358 运算放大器包含两个独立、高增益、内部频率补偿电路。 在线性模式下,输入共模电压范围包含接地,且输出电压还可摆幅至接地。设计用于通过单电源工作 大直流电压增益:100 dB 宽带宽(单位增益):1.1 MHz ### 运算放大器,STMicroelectronics
LM258
DR
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TEXAS INSTRUMENTS LM258DR. 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚
LM258
ADR
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM258ADR 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚
LM258
ADT
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ST Microelectronics(意法半导体)
LM158,LM258,LM358,低功率双路运算放大器,具有低输入偏置电流LM158、LM258、LM358 运算放大器包含两个独立、高增益、内部频率补偿电路。 在线性模式下,输入共模电压范围包含接地,且输出电压还可摆幅至接地。设计用于通过单电源工作 大直流电压增益:100 dB 宽带宽(单位增益):1.1 MHz ### 运算放大器,STMicroelectronics
LM258
P
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM258P 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, DIP, 8 引脚
LM258
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TI(德州仪器)
LM 系列Texas Instruments 的一系列通用运算放大器适用于多种使用。 这些设备在非专业应用中提供经济型性能,并提供单路、双路和四路配置。 该系列包括多种通孔和表面安装封装。 运算放大器 LM 系列中的很多设备提供低功耗,且能够采用单电源操作,带包括接地在内的输入共模电压。### 运算放大器,Texas Instruments
LM258
ADGKR
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM258ADGKR 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, MSOP, 8 引脚
LM258
D
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM258D 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚
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