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> 电压基准芯片 > TI（德州仪器） > LM285DR-2-5 Datasheet 文档
器件3D模型
￥ 0.394
LM285DR-2-5 数据手册 - TI（德州仪器）
制造商:
TI（德州仪器）
分类:
电压基准芯片
封装:
SOIC-8
描述:
TEXAS INSTRUMENTS LM285DR-2-5 电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM285系列, 2.5V, SOIC-8
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
LM285DR-2-5 数据手册 (18 页)
封装尺寸
在
1 页
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LM285DR-2-5 数据手册
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LM285DR-2-5 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
容差
±1.5 %
封装
SOIC-8
输出电压
2.5 V
输出电流
20 mA
供电电流
20.0 mA
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
输出电压(Max)
2.5 V
输出电压(Min)
2.5 V
输出电流(Max)
20 mA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
精度
±1.5 %
查看数据手册 >
LM285DR-2-5 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃
温度系数
±20 ppm/℃
查看数据手册 >
LM285DR-2-5 符合标准
LM285DR-2-5 海关信息
LM285DR-2-5 数据手册
LM285DR-2-5
数据手册
TI（德州仪器）
18 页 / 0.64 MByte
LM285DR-2-5
产品设计参考手册
TI（德州仪器）
27 页 / 1.32 MByte
LM285DR-2-5
其他数据使用手册
TI（德州仪器）
16 页 / 0.33 MByte
LM285 数据手册
LM285
D-2.5R2G
数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR LM285D-2.5R2G 电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM285系列, 2.5V, NSOIC-8
LM285
DR-2-5
数据手册
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS LM285DR-2-5 电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM285系列, 2.5V, SOIC-8
LM285
Z-2.5G
数据手册
ON Semiconductor（安森美）
0.6V 至 4.096V，ON Semiconductor### 电压参考，ON Semiconductor
LM285
Z-1.2G
数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR LM285Z-1.2G 电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM285系列, 1.235V, TO-226AA-3
LM285
DR-1-2
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TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS LM285DR-1-2 电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM285系列, 1.235V, SOIC-8
LM285
D-1.2R2G
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ON Semiconductor（安森美）
1.2V电压基准
LM285
D-2.5G
数据手册
ON Semiconductor（安森美）
0.6V 至 4.096V，ON Semiconductor### 电压参考，ON Semiconductor
LM285
D-2-5
数据手册
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS LM285D-2-5 电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM285系列, 2.5V, SOIC-8
LM285
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ON SEMICONDUCTOR LM285Z-2.5RAG 电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM285系列, 2.5V, TO-226AA-3
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