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LM2901DR2
器件3D模型
0.19
LM2901DR2 数据手册 (11 页)
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LM2901DR2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
14 Pin
电源电压
3.00V (min)
封装
SOIC-14
输出电流
16mA @5V
通道数
4 Channel
功耗
1000 mW
静态电流
800 µA
工作温度(Max)
105 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW
电源电压(Max)
36 V
电源电压(Min)
3 V

LM2901DR2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
8.75 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm

LM2901DR2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 0.27 MByte

LM2901 数据手册

TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM2901DR  芯片, 电压比较器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM2901PWR  模拟比较器, 四路, 差分, 4, 1.3 µs, 2V 至 36V, TSSOP, 14 引脚
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor### 比较器,ON Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LM2901DT  模拟比较器, 四路, 精密电压, 4, 1.3 µs, 2V 至 36V, SOIC, 14 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM2901N  模拟比较器, 四路, 电压, 4, 300 ns, 2V 至 36V, ± 1V 至 ± 18V, DIP, 14 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM2901D.  模拟比较器, 四路, 差分, 4, 300 ns, 2V 至 36V, SOIC, 14 引脚
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor### 比较器,ON Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics高速比较器,提供快速响应时间 低功耗比较器,工作电流低至 210nA 过热规格设备 汽车等级比较器符合 AEC-Q100 和 AEC-Q101 规格 ### 比较器,STMicroelectronics
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  LM2901NG.  四电压比较器
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics高速比较器,提供快速响应时间 低功耗比较器,工作电流低至 210nA 过热规格设备 汽车等级比较器符合 AEC-Q100 和 AEC-Q101 规格 ### 比较器,STMicroelectronics
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