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LM324N/NOPB
器件3D模型
0.192
LM324N/NOPB 数据手册 (34 页)
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LM324N/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
14 Pin
电源电压
32.0V (max)
封装
DIP-14
输出电流
40mA @15V
供电电流
1.5 mA
电路数
4 Circuit
通道数
4 Channel
针脚数
14 Position
功耗
1.13 W
共模抑制比
65 dB
输入补偿漂移
7.00 µV/K
带宽
1 MHz
转换速率
500 mV/μs
增益频宽积
1 MHz
输入补偿电压
2 mV
输入偏置电流
45 nA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
增益带宽
1 MHz
耗散功率(Max)
1130 mW
共模抑制比(Min)
65 dB
电源电压
3V ~ 32V

LM324N/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
19.05 mm
宽度
6.35 mm
高度
3.3 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃

LM324N/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
34 页 / 1.76 MByte
TI(德州仪器)
9 页 / 0.46 MByte
TI(德州仪器)
6 页 / 0.16 MByte

LM324 数据手册

TI(德州仪器)
四路运算放大器
ST Microelectronics(意法半导体)
低功耗四路运算放大器 Low Power Quad Operational Amplifiers
UTC(友顺)
运算放大器 - 运放 High Speed Ground Sense Op Amp
ON Semiconductor(安森美)
带差动输入4运算放大器
NXP(恩智浦)
低功耗四运算放大器 Low power quad op amps
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM324DR  芯片, 运算放大器, 1.2MHZ, 0.5V/US, SOIC-14
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LM324DT.  运算放大器
ON Semiconductor(安森美)
LM324、LM224、LM2902、NCV2902、单电源、四路运算放大器,ON SemiconductorON Semiconductor LM324/LM224/LM2902/NCV2902 四路运算放大器,具有真正差分输入,可在 3 V 和 32 V 之间的电源电压下操作。 共模输入范围包括负电源,在很多应用中无需外部偏压组件。 输出电压范围还包括负电源电压。每包四个放大器 短路保护输出 真差分输入阶段 单电源范围:3 V 至 32 V 低输入偏置电流:最大 100 nA (LM324A) 内部补偿 输入 ESD 钳可增加坚固性,而不会影响设备操作 ### 运算放大器,ON Semiconductor
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM324N  运算放大器, 四路, 1.2 MHz, 4个放大器, 0.5 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, DIP, 14 引脚
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