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LM358M
器件3D模型
0.002
LM358M 数据手册 (36 页)
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LM358M 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
5.00 V
封装
SOIC-8
输出电流
40mA @15V
供电电流
1 mA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
功耗
0.53 W
共模抑制比
65 dB
输入补偿漂移
7.00 µV/K
带宽
1 MHz
转换速率
100 mV/μs
增益频宽积
1 MHz
输入补偿电压
2 mV
输入偏置电流
45 nA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
增益带宽
1 MHz
耗散功率(Max)
530 mW
共模抑制比(Min)
65 dB
电源电压(Max)
32V ~ 36V

LM358M 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
高度
1.5 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃

LM358M 数据手册

TI(德州仪器)
36 页 / 1.77 MByte
TI(德州仪器)
33 页 / 1.68 MByte

LM358 数据手册

TI(德州仪器)
二路通用运算放大器
IDCHIP(英锐芯)
3.0V~30V 2mA 频率补偿双运算放大器
UTC(友顺)
双路运算放大器、宽电源电压范围、内部频率增益补偿
ST Microelectronics(意法半导体)
低功耗双运算放大器 LOW POWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS
ON Semiconductor(安森美)
单电源双运算放大器 Single Supply Dual Operational Amplifiers
National Semiconductor(美国国家半导体)
LM358 SOT marking/标记 LM358
Motorola(摩托罗拉)
Fairchild(飞兆/仙童)
Estek Electronics(伊泰克电子)
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