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LM35DZ/NOPB
1.12
LM35DZ/NOPB 数据手册 (31 页)
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LM35DZ/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
电源电压
4.00 V, 30.0 V (max)
封装
TO-92-3
输出电压
6.00 V
输出电流
10 mA
供电电流
0.114 mA
针脚数
3 Position
静态电流
56.0 µA
工作温度(Max)
100 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
精度
±0.6 ℃
电源电压
4V ~ 30V
电源电压(Max)
30 V
电源电压(Min)
4 V

LM35DZ/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.2 mm
工作温度
0℃ ~ 100℃

LM35DZ/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
31 页 / 1.3 MByte
TI(德州仪器)
29 页 / 1.26 MByte

LM35 数据手册

TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM358DR  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.4 V/µs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
LM 系列Texas Instruments 的一系列通用运算放大器适用于多种使用。 这些设备在非专业应用中提供经济型性能,并提供单路、双路和四路配置。 该系列包括多种通孔和表面安装封装。 运算放大器 LM 系列中的很多设备提供低功耗,且能够采用单电源操作,带包括接地在内的输入共模电压。### 运算放大器,Texas Instruments
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LM358DT  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, SOIC, 8 引脚
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  LM358DR2G.  运算放大器
TI(德州仪器)
LM 系列Texas Instruments 的一系列通用运算放大器适用于多种使用。 这些设备在非专业应用中提供经济型性能,并提供单路、双路和四路配置。 该系列包括多种通孔和表面安装封装。 运算放大器 LM 系列中的很多设备提供低功耗,且能够采用单电源操作,带包括接地在内的输入共模电压。### 运算放大器,Texas Instruments
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LM358ADT.  双电压比较器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM358D  芯片, 运算放大器, 700KHZ, 0.3V/US, SOIC-8
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LM358D  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, SOIC, 8 引脚
ON Semiconductor(安森美)
LM 系列 0.6 V/us 32 V 表面贴装 单电源 四通道 运算放大器 - SOIC-8
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM358PWR  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, ± 1.5V 至 ± 16V, TSSOP, 8 引脚
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