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> 电压基准芯片 > TI(德州仪器) > LM385DR-2-5 Datasheet 文档
器件3D模型
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LM385DR-2-5 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
电压基准芯片
封装:
SOIC-8
描述:
TEXAS INSTRUMENTS LM385DR-2-5 电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385系列, 2.5V, SOIC-8
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
LM385DR-2-5 数据手册 (21 页)
封装尺寸
在
1 页
8 页
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LM385DR-2-5 数据手册
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LM385DR-2-5 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
容差
±3 %
封装
SOIC-8
输出电压
2.5 V
输出电流
20 mA
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
输出电压(Max)
2.5 V
输出电压(Min)
2.5 V
输出电流(Max)
20 mA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
精度
±3 %
查看数据手册 >
LM385DR-2-5 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃ (TA)
温度系数
±20 ppm/℃
查看数据手册 >
LM385DR-2-5 符合标准
LM385DR-2-5 海关信息
LM385DR-2-5 数据手册
LM385DR-2-5
数据手册
TI(德州仪器)
21 页 / 1.12 MByte
LM385DR-2-5
产品设计参考手册
TI(德州仪器)
27 页 / 1.32 MByte
LM385DR-2-5
产品手册
TI(德州仪器)
13 页 / 0.72 MByte
LM385 数据手册
LM385
BD-2.5R2G
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ON Semiconductor(安森美)
0.6V 至 4.096V,ON Semiconductor### 电压参考,ON Semiconductor
LM385
BZ-2.5G
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR LM385BZ-2.5G. 电压基准
LM385
BZ-1.2G
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR LM385BZ-1.2G 电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385B系列, 1.235V, TO-226AA-3
LM385
Z-2.5G
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR LM385Z-2.5G 芯片, 并联电压基准, 二极管 2.5V, 3%, TO-92
LM385
DR-2-5
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM385DR-2-5 电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385系列, 2.5V, SOIC-8
LM385
M3-2.5/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
2.4V 至 2.5V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
LM385
D-2.5G
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR LM385D-2.5G 电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385系列, 2.5V, NSOIC-8
LM385
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数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM385M3X-2.5/NOPB 芯片, 并联电压基准, 2.5V, SOT-23
LM385
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ON Semiconductor(安森美)
1.2V电压基准
LM385
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数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM385Z-2.5/NOPB 电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385系列, 2.5V, TO-226AA-3
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