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> 电压基准芯片 > TI(德州仪器) > LM4041C12IDBZR Datasheet 文档
器件3D模型
¥ 0.341
LM4041C12IDBZR 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
电压基准芯片
封装:
SOT-23-3
描述:
TEXAS INSTRUMENTS LM4041C12IDBZR.. 芯片, 精密并联电压基准, 1.2V, 0.5%, 微功率, SOT-23-3
Pictures:
3D模型
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LM4041C12IDBZR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
容差
±0.5 %
封装
SOT-23-3
输入电压(DC)
10.0 V
输出电压
1.225 V
输出电流
12 mA
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
输入电压(Max)
10 V
输入电压(Min)
10 V
输出电压(Max)
1.225 V
输出电压(Min)
1.225 V
输出电流(Max)
25 mA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
精度
±0.5 %
查看数据手册 >
LM4041C12IDBZR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.92 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)
温度系数
±100 ppm/℃
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LM4041C12IDBZR 符合标准
LM4041C12IDBZR 海关信息
LM4041C12IDBZR 概述
●
分流器 电压基准 IC ±0.5% SOT-23-3
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LM4041C12IDBZR 数据手册
LM4041C12IDBZR
数据手册
TI(德州仪器)
30 页 / 1.18 MByte
LM4041C12IDBZR
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TI(德州仪器)
6 页 / 0.1 MByte
LM4041C12IDBZR
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LM4041C12
数据手册
TI(德州仪器)
1.2V 精密微功耗并联电压参考,0.5% 精确度
LM4041C12
IDBZR
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM4041C12IDBZR.. 芯片, 精密并联电压基准, 1.2V, 0.5%, 微功率, SOT-23-3
LM4041C12
IDCKR
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM4041C12IDCKR 芯片, 电压基准, 1.2V
LM4041C12
QDBZR
数据手册
TI(德州仪器)
精密微功耗并联型电压基准 PRECISION MICROPOWER SHUNT VOLTAGE REFERENCE
LM4041C12
QDBZT
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM4041C12QDBZT 芯片, 电压基准, 1.2V
LM4041C12
IDBZT
数据手册
TI(德州仪器)
1.2V 至 2.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
LM4041C12
IDBZRG4
数据手册
TI(德州仪器)
精密微功耗并联型电压基准 PRECISION MICROPOWER SHUNT VOLTAGE REFERENCE
LM4041C12
IDCKRG4
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精密微功耗并联型电压基准 PRECISION MICROPOWER SHUNT VOLTAGE REFERENCE
LM4041C12
IDCKRE4
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TI(德州仪器)
精密微功耗并联型电压基准 PRECISION MICROPOWER SHUNT VOLTAGE REFERENCE
LM4041C12
IDBZTG4
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TI(德州仪器)
精密微功耗并联型电压基准 PRECISION MICROPOWER SHUNT VOLTAGE REFERENCE
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