Web Analytics
Datasheet 搜索 > FET驱动器 > TI(德州仪器) > LM5101AMR/NOPB Datasheet 文档
LM5101AMR/NOPB
4.209
LM5101AMR/NOPB 数据手册 (36 页)
查看文档
或点击图片查看大图

LM5101AMR/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PowerSOIC-8
上升/下降时间
430ns, 260ns
输出接口数
2 Output
输出电流
3 A
上升时间
430 ns
下降时间
260 ns
下降时间(Max)
260 ns
上升时间(Max)
430 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
9V ~ 14V
电源电压(Max)
14 V
电源电压(Min)
9 V

LM5101AMR/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.47 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)

LM5101AMR/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
36 页 / 1.71 MByte

LM5101 数据手册

TI(德州仪器)
National Semiconductor(美国国家半导体)
高电压高侧和低侧栅极驱动器 High Voltage High Side and Low Side Gate Driver
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5101AM/NOPB  芯片, MOSFET栅极驱动器
TI(德州仪器)
3A , 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate Drivers
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5101CMA/NOPB  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9V-14V电源, 1A输出, 22ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
门驱动器 High Voltage High Side and Low Side Gate Driver 8-SOIC
TI(德州仪器)
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
3A , 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate Drivers
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5101ASD/NOPB  驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9V-14V电源, 3A输出, WSON-10
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: LM5101 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z